フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 書込み回数は無制限である。 |
| イ | 書込み時は回路基板から外して、専用のROMライターで書き込まなくてはならない。 |
| ウ | 定期的にリフレッシュしないと、データは失われる。 |
| エ | データ書換え時には、あらかじめ前のデータを消去してから書込みを行う。 |
答え エ
【解説】
| ア | フラッシュメモリは書込み回数に制限があります。(数回から数十万回まで) |
| イ | フラッシュメモリはプログラムを使って回路基板に着けたままで書き込みができます。 |
| ウ | フラッシュメモリはリフレッシュ不要です。 |
| エ | フラッシュメモリは書換えを行うときにデータを消去してから書込みを行います。 |
【キーワード】
・フラッシュメモリ
- フラッシュメモリ(flash memory)
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種で、電源を切ってもデータが消えない不揮発性のメモリで、ブロック単位での消去ができる。
データは各ビットの値を1→0に書き変えることができる。ただし、ビット単位での0→1の書き換えはできない。(書き換えはバイト、ワード単位で行う。)
ビットの値を1にする操作はフラッシュメモリの全部又は一部分(“セクタ”と呼ぶブロック単位)で行うことができ、1にする処理を消去と呼ぶ。
大容量化が容易なので、SDメモリやコンパクトフラッシュ、USBメモリなどで使用されている。また、組込み系の機器(ハードディスクなどを持っていない機器:携帯電話、携帯音楽プレーヤ等)でプログラムやデータを格納する用途で使用されている。
なお、書き換え回数に制限があり、少ないものでは10回程度、多いものでは100万回程度である。
もっと、「フラッシュメモリ」について調べてみよう。
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