LSIの省電力制御技術であるパワーゲーティングの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 動作する必要のない回路ブロックに供給しているクロックを停止することによって、消費電力を減らす。 |
| イ | 動作する必要のない回路への電源供給を遮断することによって、リーク電流を減らす。 |
| ウ | 半導体製造プロセスの微細化によって生じるリーク電流を、プロセス技術の改良によって減らす。 |
| エ | 複数の電圧の電源供給によって、動作周波数の低い回路ブロックには低い電源電圧を供給することで、動作電力及びリーク電流を減らす。 |
答え イ
【解説】
| ア | クロックゲーティング(clock gating)の説明です。 |
| イ | パワーゲーティング(power gating)の説明です。 |
| ウ | プロセス改良によるリーク電流の削減についての説明です。 |
| エ | マルチVth(Threshold voltage、しきい値電圧)についての説明です。 |
【キーワード】
・半導体の低消費電力技術
- 半導体の低消費電力技術
半導体の低消費電力技術には、回路の微細化によるリーク電流の増大と、動作クロックの高速化によるスイッチング電力の増大を削減するものである。
方法としては回路設計の工夫によるものと、LSI製造プロセスの改良によるものがあります。
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