平成18年 秋期 基本情報技術者 午前 問16

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

 ア  紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。
 イ  データを早く読み出せるので、キャッシュメモリとして用いられる。
 ウ  不揮発性のメモリの一種であり、電気的に全部又は一部分を消して書き直せるメモリである。
 エ  リフレッシュ動作が必要なメモリであり、主記憶に広く使われる。


答え ウ


解説

 ア  UV-EPROMの説明です。書き換え可能なROMですが、消去に紫外線を使用するため装置に組み込んだ状態での書き換えは難しいです。
 イ  SRAMの説明です。フラッシュメモリは高速の書き換えが行えないのでキャッシュメモリとしては使用できません。
 ウ  フラッシュメモリの説明です。書き込みはバイト、ワード単位などで可能ですが、消去はブロック単位(数Kbyte〜数十Kbyte)で行います。
 エ  DRAMの説明です。キャパシタ(コンデンサ)を用いた単純な構造のため大容量化が可能です。


キーワード
・フラッシュメモリ

キーワードの解説
  • フラッシュメモリ(flash memory)
    EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種で、電源を切ってもデータが消えない不揮発性のメモリで、ブロック単位での消去ができる。
    データは各ビットの値を1→0に書き変えることができる。ただし、ビット単位での0→1の書き換えはできない。(書き換えはバイト、ワード単位で行う。)
    ビットの値を1にする操作はフラッシュメモリの全部又は一部分(“セクタ”と呼ぶブロック単位)で行うことができ、1にする処理を消去と呼ぶ。
    大容量化が容易なので、SDメモリやコンパクトフラッシュ、USBメモリなどで使用されている。また、組込み系の機器(ハードディスクなどを持っていない機器:携帯電話、携帯音楽プレーヤ等)でプログラムやデータを格納する用途で使用されている。
    なお、書き換え回数に制限があり、少ないものでは10回程度、多いものでは100万回程度である。

もっと、「フラッシュメモリ」について調べてみよう。

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