フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。 |
| イ | 記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録する。 |
| ウ | 不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。 |
| エ | ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込む。 |
答え ア
【解説】
| ア | 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択するのは、ウェアレベリングです。(〇) |
| イ | 記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録するのは、マルチレベル(multi level、多値記憶)です。(×) |
| ウ | 不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換えるのは、リアロケーション(reallocation)です。(×) |
| エ | ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込むのは、フラッシュメモリの通常のデータ書換え方法です。(×) |
【キーワード】
・ウェアレベリング
- ウェアレベリング(wear leveling、摩耗平滑化)
書き換え回数が少ない(寿命が短い)記憶素子を使った記憶媒体で、同じ個所を繰り返し書き換えるのではなく書き換える先を替えながら処理することで全体の寿命を長くする技術です。
フラッシュメモリを使用した製品(各種メモリカード、USBメモリ、SSDなど)のはほぼすべてで採用されています。
もっと、「ウェアレベリング」について調べてみよう。
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