LSIの故障メカニズムの一つであるESD(Electrostatic Discharge)破壊の説明として、適切なものはどれか。
| ア | 機械的な力によって、配線が切断されてしまう現象 |
| イ | 寄生サイリスタの導通によって、半導体素子が破壊されてしまう現象 |
| ウ | 静電気放電によって、半導体素子が破壊されてしまう現象 |
| エ | 電流が過度に流れることによって、配線が切断されてしまう現象 |
答え ウ
【解説】
| ア | 物理的破壊の説明です。 |
| イ | ラッチアップの説明です。 |
| ウ | ESD破壊の説明です。 |
| エ | 過電流による破壊の説明です。 |
【キーワード】
・ESD破壊
- ESD(Electrostatic Discharge)破壊(静電気破壊)
ICは微細加工や高集積化の技術進歩により、性能の向上を実現しましたが、微細化することで静電気放電によるデバイスの劣化や損傷が発生しやすくなっています。
ESD破壊には、人体が帯電していることにより発生するケース、ICを取り扱う装置が帯電していることにより発生するケース、IC自体が帯電することで発生するケースがあります。
もっと、「ESD破壊」について調べてみよう。
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