TSV(Through-Silicon Via)を用いた半導体チップの3次元実装技術の説明として、適切なものはどれか。
| ア | 積層した半導体チップ同士を貫通電極で接続する。 |
| イ | 積層した半導体チップ同士をボンディングワイヤで接続する。 |
| ウ | 絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とする。 |
| エ | チップと同程度のサイズでパッケージに封入する。 |
答え ア
【解説】
| ア | TSVの説明です。 |
| イ | 従来の半導体積層技術の説明です。 これを改良したものがTSVです。 |
| ウ | 半導体チップの説明です。 |
| エ | CSP(Chip size package)の説明です。 |
【キーワード】
・TSV
- TSV(Through-Silicon Via、シリコン貫通電極)
半導体の実装技術の1つであり、シリコン製半導体チップの内部を垂直に貫通する電極のことです。
複数枚のチップを積ねて1つのパッケージに収める場合に、従来ではボンディングワイヤで行なわれている上下のチップ同士の接続を貫通電極で行ないます。
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