平成27年 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト 午前II 問8

ページング方式の仮想記憶において、ページ置換えアルゴリズムにLRU方式を採用した場合、ページの参照順序が1、2、3、2、3、1、4、2、4、3、1であるプログラムを実行するとき、ページの読込みは何回発生するか。
ここで、主記憶のページ枠は3で、初期状態では主記憶にどのページも存在しないものとする。

 ア  4  イ  5  ウ  6  エ  7


答え エ


解説
ページング方式のLRU(Least Recently Used)とは、ページの入れ替え時に最近最も使われなかったものと入れ替える方法です。
ページ枠が3なのでページの内容の遷移は以下のようになります。

アクセスするページ ページ枠の状態 読込まれるページ
1 1 1
2 2 1 2
3 3 2 1 3
2 2 3 1
3 3 2 1
1 1 3 2
4 4 1 3 4
2 2 4 1 2
4 4 2 1
3 3 4 2 3
1 1 3 4 1


キーワード
・仮想記憶

キーワードの解説
  • 仮想記憶
    メモリ管理技術で、不連続なメモリ空間をソフトウェアから見て連続した空間になるようにするもので、OS(オペレーティング・システム)が有している。
    仮想記憶にはページング方式とセグメント方式があり、ページング方式は固定長の単位で管理する方法であり、セグメント方式は可変長の単位で管理する方法である。

もっと、「仮想記憶」について調べてみよう。

戻る 一覧へ 次へ