LSIの省電力制御技術であるパワーゲーティングの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 異なる電圧値の電源を複数もち、動作周波数が低い回路ブロックには低い電源電圧を供給することによって、消費電力を減らす。 |
| イ | 動作する必要がない回路ブロックに供給しているクロックを停止することによって、消費電力を減らす。 |
| ウ | 動作する必要がない回路ブロックへの電源供給を遮断することによって、消費電力を減らす。 |
| エ | 半導体製造プロセスの微細化から生じるリーク電流の増大を、使用材料などの革新によって抑える。 |
答え ウ
【解説】
| ア | マルチVth(Threshold voltage、しきい値電圧)についての説明です。 |
| イ | クロックゲーティング(clock gating)の説明です。 |
| ウ | パワーゲーティング(power gating)の説明です。 |
| エ | プロセス改良によるリーク電流の削減についての説明です。 |
【キーワード】
・半導体の低消費電力技術
- 半導体の低消費電力技術
半導体の低消費電力技術には、回路の微細化によるリーク電流の増大と、動作クロックの高速化によるスイッチング電力の増大を削減するものである。
方法としては回路設計の工夫によるものと、LSI製造プロセスの改良によるものがあります。
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