FeRAMの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 1ビットのメモリセルは4〜6個のトランジスタで構成される。 |
| イ | データ保持のためリフレッシュが必要である。 |
| ウ | バイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。 |
| エ | フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。 |
答え エ
【解説】
| ア | FeRAMは、1ビットのメモリセルはキャパシタとトランジスタで構成されます。 |
| イ | FeRAMは不揮発性メモリなのでリフレッシュ動作は不要です。 |
| ウ | FeRAMは、ビット単位での書換えが可能です。 |
| エ | FeRAMは、フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできます。 |
【キーワード】
・FeRAM
- FeRAM(Ferroelectric RAM、強誘電体メモリ)
強誘電体は、電圧を加えることによって物質内の自発分極の方向を自由に変化させ、電圧をかけなくてもその分極方向を持続させることのできる誘電体のことで、これを記憶素子とする不揮発メモリがFeRAMです。
もっと、「FeRAM」について調べてみよう。
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