平成30年 春期 基本情報技術者 午前 問22

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

 ア  高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリに用いられる。
 イ  紫外線で全データを一括消去できる。
 ウ  周期的にデータの再書込みが必要である。
 エ  ブロック単位で電気的にデータの消去ができる。


答え エ


解説

 ア  SRAMの説明です。フラッシュメモリは高速の書き換えが行えないのでキャッシュメモリとしては使用できません。
 イ  UV-EPROMの説明です。書き換え可能なROMですが、消去に紫外線を使用するため装置に組み込んだ状態での書き換えは難しいです。
 ウ  DRAMの説明です。キャパシタ(コンデンサ)を用いた単純な構造のため大容量化が可能です。
 エ  フラッシュメモリの説明です。書き込みはバイト、ワード単位などで可能ですが、消去はブロック単位(数Kbyte〜数十Kbyte)で行います。


キーワード
・フラッシュメモリ

キーワードの解説
  • フラッシュメモリ(flash memory)
    EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種で、電源を切ってもデータが消えない不揮発性のメモリで、ブロック単位での消去ができる。
    データは各ビットの値を1→0に書き変えることができる。ただし、ビット単位での0→1の書き換えはできない。(書き換えはバイト、ワード単位で行う。)
    ビットの値を1にする操作はフラッシュメモリの全部又は一部分(“セクタ”と呼ぶブロック単位)で行うことができ、1にする処理を消去と呼ぶ。
    大容量化が容易なので、SDメモリやコンパクトフラッシュ、USBメモリなどで使用されている。
    また、組込み系の機器(ハードディスクなどを持っていない機器:携帯電話、携帯音楽プレーヤ等)でプログラムやデータを格納する用途で使用されている。
    なお、書き換え回数に制限があり、少ないものでは10回程度、多いものでは100万回程度である。

もっと、「フラッシュメモリ」について調べてみよう。

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