NAND型フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
| ア | バイト単位で書込み、ページ単位で読み出しを行う。 |
| イ | バイト単位で書込み及び読出しを行う。 |
| ウ | ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。 |
| エ | ページ単位で書込み及び読出しを行う。 |
答え エ
【解説】
フラッシュメモリには、NAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリがあり、それぞれ以下のような特徴があります。
- NAND型フラッシュメモリ
ランダムアクセス読出しはブロック単位、NOR型にくらべ書込みは高速、NOR型に比べ回路が単純で高集積化に有利、NOR型に比べ信頼性が低くエラー訂正(ECC)が必要 - NOR型フラッシュメモリ
ランダムアクセス読出しはブロック単位、NAND型に比べ書込みは低速、NAND方に比べ回路が複雑で高集積化に不利、NAND型に比べ信頼性が高くエラー訂正(ECC)は不要
【キーワード】
・フラッシュメモリ
- フラッシュメモリ(flash memory)
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種で、電源を切ってもデータが消えない不揮発性のメモリで、ブロック単位での消去ができる。
データは各ビットの値を1→0に書き変えることができる。
ただし、ビット単位での0→1の書き換えはできない。(書き換えはバイト、ワード単位で行う。)
ビットの値を1にする操作はフラッシュメモリの全部又は一部分(“セクタ”と呼ぶブロック単位)で行うことができ、1にする処理を消去と呼ぶ。
大容量化が容易なので、SDメモリやコンパクトフラッシュ、USBメモリなどで使用されている。
また、組込み系の機器(ハードディスクなどを持っていない機器:携帯電話、携帯音楽プレーヤ等)でプログラムやデータを格納する用途で使用されている。
なお、書き換え回数に制限があり、少ないものでは10回程度、多いものでは100万回程度である。
もっと、「フラッシュメモリ」について調べてみよう。
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