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フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。 |
| イ | 記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録する。 |
| ウ | 不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。 |
| エ | ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込む。 |
答え ア
【解説】
| ア | 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択するのは、ウェアレベリングです。(〇) |
| イ | 記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録するのは、マルチレベル(multi level、多値記憶)です。(×) |
| ウ | 不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換えるのは、リアロケーション(reallocation)です。(×) |
| エ | ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込むのは、フラッシュメモリの通常のデータ書換え方法です。(×) |
【キーワード】
・ウェアレベリング