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FeRAMの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 1ビットのメモリセルは4〜6個のトランジスタで構成される。 |
| イ | データ保持のためリフレッシュが必要である。 |
| ウ | バイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。 |
| エ | フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。 |
答え エ
【解説】
| ア | FeRAMは、1ビットのメモリセルはキャパシタとトランジスタで構成されます。(×) |
| イ | FeRAMは不揮発性メモリなのでリフレッシュ動作は不要です。(×) |
| ウ | FeRAMは、ビット単位での書換えが可能です。(×) |
| エ | FeRAMは、フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできます。(〇) |
【キーワード】
・FeRAM