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フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。
| ア | 紫外線を利用してデータを消去し、書き換えることができるメモリである。 |
| イ | データ読出し速度が速いメモリで、CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われる。 |
| ウ | 電気的に書換え可能な、不揮発性のメモリである。 |
| エ | リフレッシュ動作が必要なメモリで、主記憶によく使われる。 |
答え ウ
【解説】
| ア | 紫外線を利用してデータを消去し、書き換えることができるメモリは、UV-EPROMです。 |
| イ | データ読出し速度が速いメモリで、CPUと主記憶の性能差を埋めるキャッシュメモリによく使われるのは、SRAMです。 |
| ウ | 電気的に書換え可能な、不揮発性のメモリは、フラッシュメモリです。 |
| エ | リフレッシュ動作が必要なメモリで、主記憶によく使われるのは、DRAMです。 |
【キーワード】
・不揮発性メモリ