フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
ア | 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリに用いられる。 |
イ | 紫外線で全データを一括消去できる。 |
ウ | 周期的にデータの再書込みが必要である。 |
エ | ブロック単位で電気的にデータの消去ができる。 |
答え エ
【解説】
ア | SRAMの説明です。フラッシュメモリは高速の書き換えが行えないのでキャッシュメモリとしては使用できません。 |
イ | UV-EPROMの説明です。書き換え可能なROMですが、消去に紫外線を使用するため装置に組み込んだ状態での書き換えは難しいです。 |
ウ | DRAMの説明です。キャパシタ(コンデンサ)を用いた単純な構造のため大容量化が可能です。 |
エ | フラッシュメモリの説明です。書き込みはバイト、ワード単位などで可能ですが、消去はブロック単位(数Kbyte〜数十Kbyte)で行います。 |
【キーワード】
・フラッシュメモリ