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フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
| ア | 紫外線で全内容を消して書き直せるメモリである。 |
| イ | データを早く読み出せるので、キャッシュメモリとして用いられる。 |
| ウ | 不揮発性のメモリの一種であり、電気的に全部又は一部分を消して書き直せるメモリである。 |
| エ | リフレッシュ動作が必要なメモリであり、主記憶に広く使われる。 |
答え ウ
【解説】
| ア | UV-EPROMの説明です。書き換え可能なROMですが、消去に紫外線を使用するため装置に組み込んだ状態での書き換えは難しいです。 |
| イ | SRAMの説明です。フラッシュメモリは高速の書き換えが行えないのでキャッシュメモリとしては使用できません。 |
| ウ | フラッシュメモリの説明です。書き込みはバイト、ワード単位などで可能ですが、消去はブロック単位(数Kbyte〜数十Kbyte)で行います。 |
| エ | DRAMの説明です。キャパシタ(コンデンサ)を用いた単純な構造のため大容量化が可能です。 |
【キーワード】
・フラッシュメモリ