フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。
ア |
1回だけ電気的に書込みができる。 |
イ |
一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。 |
ウ |
書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去する。 |
エ |
書込みは電気的に行い、消去は紫外線によって行う。 |
答え ウ
【解説】
ア |
PROM(Programmable ROM)の説明です。 |
イ |
DRAM(Dynamic RAM)の説明です。 |
ウ |
フラッシュメモリの説明です。 |
エ |
UV-EPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable ROM)の説明です。 |
【キーワード】
・フラッシュメモリ
【キーワードの解説】
- フラッシュメモリ(flash memory)
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種で、電源を切ってもデータが消えない不揮発性のメモリで、ブロック単位での消去ができる。
データは各ビットの値を1→0に書き変えることができる。ただし、ビット単位での0→1の書き換えはできない。(書き換えはバイト、ワード単位で行う。)
ビットの値を1にする操作はフラッシュメモリの全部又は一部分(“セクタ”と呼ぶブロック単位)で行うことができ、1にする処理を消去と呼ぶ。
大容量化が容易なので、SDメモリやコンパクトフラッシュ、USBメモリなどで使用されている。また、組込み系の機器(ハードディスクなどを持っていない機器:携帯電話、携帯音楽プレーヤ等)でプログラムやデータを格納する用途で使用されている。
なお、書き換え回数に制限があり、少ないものでは10回程度、多いものでは100万回程度である。
もっと、「フラッシュメモリ」について調べてみよう。
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