平成22年 春期 基本情報技術者 午前 問24

フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。

 ア  1回だけ電気的に書込みができる。
 イ  一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。
 ウ  書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去する。
 エ  書込みは電気的に行い、消去は紫外線によって行う。


答え ウ


解説

 ア  PROM(Programmable ROM)の説明です。
 イ  DRAM(Dynamic RAM)の説明です。
 ウ  フラッシュメモリの説明です。
 エ  UV-EPROM(Ultra-Violet Erasable Programmable ROM)の説明です。


キーワード
・フラッシュメモリ

キーワードの解説
  • フラッシュメモリ(flash memory)
    EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種で、電源を切ってもデータが消えない不揮発性のメモリで、ブロック単位での消去ができる。
    データは各ビットの値を1→0に書き変えることができる。ただし、ビット単位での0→1の書き換えはできない。(書き換えはバイト、ワード単位で行う。)
    ビットの値を1にする操作はフラッシュメモリの全部又は一部分(“セクタ”と呼ぶブロック単位)で行うことができ、1にする処理を消去と呼ぶ。
    大容量化が容易なので、SDメモリやコンパクトフラッシュ、USBメモリなどで使用されている。また、組込み系の機器(ハードディスクなどを持っていない機器:携帯電話、携帯音楽プレーヤ等)でプログラムやデータを格納する用途で使用されている。
    なお、書き換え回数に制限があり、少ないものでは10回程度、多いものでは100万回程度である。

もっと、「フラッシュメモリ」について調べてみよう。

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