MLC(Multi-Level Cell)フラッシュメモリの特徴として、適切なものはどれか。
ア |
コンデンサに蓄えた電荷を用いて、データを記憶する。 |
イ |
電気抵抗の値を用いて、データを記憶する。 |
ウ |
一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。 |
エ |
フリップフロップを利用して、データを記憶する。 |
答え ウ
【解説】
ア |
コンデンサに蓄えた電荷を用いて、データを記憶するのは、DRAMです。 |
イ |
電気抵抗の値を用いて、データを記憶するのは、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化型メモリ)です。 |
ウ |
一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶するのは、MLCフラッシュメモリです。 |
エ |
フリップフロップを利用して、データを記憶するのは、SRAMです。 |
【キーワード】
・MLCフラッシュメモリ
【キーワードの解説】
- MLC(Multi-Level Cell)フラッシュメモリ
従来のフラッシュメモリは1セル当たりのビット数が1ビットで、これをSLC(Single-Level-Cell)と呼ぶ、SLCのフラッシュメモリは容量を大きくするとチップのサイズが大きくなってしまうため、セルに入れる電子の数を制御し1セル当たり4段階の電圧レベルをもつ技術が開発され、このフラッシュメモリでは1セル当たりのビット数が2になり、これをMLC(Multi-Level-Cell)と呼ぶ。
なお、1セル当たり8段階の電圧レベルを制御し3ビットのデータを保持するフラッシュメモリのTLC(Triple-Level-Cell)もあります。
もっと、「MLCフラッシュメモリ」について調べてみよう。
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